1) Какие из материалов соответствуют данным видам проводимости — металлическим проводникам, чистым
2) Каким изображениям соответствуют данные описания — зависимость сопротивления от температуры металлического проводника, зависимость сопротивления сверхпроводника от температуры и зависимость сопротивления от температуры?
3) Какой материал подходит для получения донорной примеси в кремнии — мышьяк, индий, германий или йод?
4) Какое движение обусловлено током в диоде при прямом p-n переходе — движение дырок, движение электронов, движение электронов в n-типе и движение дырок в p-типе, или движение дырок в n-типе и движение электронов в p-типе?
5) Какие утверждения верны — диод проводит ток только в одном направлении, диод выпрямляет ток, существуют 3 p-n перехода, в базе основными носителями заряда всегда должны быть электроны?
6) Какие утверждения верны — генерация электрических колебаний, ток в эмиттере примерно равен току в коллекторе, ток в базе примерно равен току в коллекторе, существуют прямой p-n переход и обратный p-n переход?
7) Какое удельное сопротивление серебра при 0°C, в мкОм х м?
8) Какое удельное сопротивление вольфрама при 2000°C, в мкОм х м?
9) Какие из утверждений верны для pnp-типа — ток обусловлен только движением электронов, ток в базе примерно равен нулю, n-тип значительно тоньше, чем p-тип, или коллектор значительно тоньше эмиттера?
10) Какие из утверждений верны для акцепторных примесей — называются n-тип, преимущественно проводимость дырочками, проводят ток только в одном направлении, или ведут себя как диэлектрики при достаточно низких температурах?
1) Металлические проводники: Металлическая проводимость осуществляется за счет свободных электронов в металлической решетке. Электроны могут свободно перемещаться по всему объему материала, что обеспечивает хорошую проводимость электрического тока.
2) Чистая электронно-дырочная проводимость: В некоторых полупроводниках, таких как кремний и германий, проводимость осуществляется за счет электронов и дырок. Электроны перемещаются в зоне проводимости, а дырки — в валентной зоне. Это позволяет проводить как электронный, так и дырочный ток.
3) Примесная проводимость: Примесная проводимость возникает при добавлении примеси в полупроводник. Примеси добавляют либо атомы с лишним электроном (донорная примесь), что приводит к появлению свободных электронов, либо атомы с дефицитом электрона (акцепторная примесь), что создает дополнительные дырки. Это позволяет изменить проводимость и управлять током в полупроводниках.
4) Собственная проводимость: В некоторых полупроводниках существует собственная проводимость, когда количество электронов и дырок близко к одному другому. В этом случае ток может осуществляться как электронами, так и дырками.
2. Зависимость сопротивления от температуры в различных материалах:
а) Для металлического проводника: Обычно сопротивление металлического проводника увеличивается с увеличением температуры. Это связано с увеличением сопротивления свободного перемещения электронов в проводнике из-за столкновений с ионами решетки.
б) Для сверхпроводников: Сверхпроводники обладают нулевым сопротивлением при определенной температуре, называемой критической температурой. При понижении температуры ниже критической, сверхпроводимость возникает и сопротивление становится нулевым.
в) Для полупроводников и диодов: Сопротивление полупроводника и диодов сильно зависит от типа материала и примесей, добавленных в материал. В общем случае, прямой ток через полупроводник и диод увеличивается с увеличением температуры, а обратный ток — уменьшается.
3. Донорная примесь в кремнии: Для получения донорной примеси в кремнии используется мышьяк (As). Мышьяк является пятой группой элементов в периодической системе и имеет лишний электрон по отношению к кремнию. Добавление мышьяка в кристаллическую решетку кремния создает дополнительные электроны и увеличивает электронную проводимость кремния.
4. Движение при прямом p-n переходе в диоде: При прямом p-n переходе в диоде ток обусловлен движением электронов. В области p-типа полупроводника (где дырки являются основными носителями заряда) электроны из области n-типа (где электроны являются основными носителями заряда) перемещаются к дыркам и образуют ток. В области прямого p-n перехода создается электрическое поле, которое ускоряет движение электронов и дырок через переход, что приводит к образованию тока в диоде при прямом поключении.